Поиск аналогов электронных компонентов
SurgeСША

HS3M

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 3 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageBag
Package / CaseDO-214AB, SMC
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
MfrSURGE
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Документы