Поиск аналогов электронных компонентов
HS3M V7G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 3 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AB, SMC
Supplier Device PackageDO-214AB (SMC)
Другое
Base Product NumberHS3M
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы