Поиск аналогов электронных компонентов
HS3AB
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

HS3AB

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AA

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение50 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 50 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 3 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-214AA, SMB
Supplier Device PackageDO-214AA (SMB)
Другое
Capacitance @ Vr, F80pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.