Поиск аналогов электронных компонентов
HS1M R3G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C~150°C
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AC, SMA
Supplier Device PackageDO-214AC (SMA)
Другое
Base Product NumberHS1M
Capacitance @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
Diode TypeStandard
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusDiscontinued at Digi-Key
Reverse Recovery Time (trr)75 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Изображения

Документы