Поиск аналогов электронных компонентов

HPA800R900PD-G

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流6A
VDSS-最大漏源电压800V
Vgs(th)-门槛电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗900mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO220
Другое
Ciss-输入等效电容586pF
Qg-栅极电荷19.9nC
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

Документы