HL(富海微)Китай
HLC20N120WN
Single FETs, MOSFETsSiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:85A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD：315W
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.2 kV
Постоянный ток стока85 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 连续漏极电流(Id) | 85A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 类型 | N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.