Поиск аналогов электронных компонентов
Hangyu(航昱微)Китай

特性:VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。 负载开关

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока4.2 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
Другое
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
数量1个P沟道

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.