SUPSiC(国晶微半导体)Китай
国晶微半导体 GC3D10170A — SiC 碳化硅肖特基二极管
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 最大连续电流 (IF) | 10 A |
| 正向电压 (VF) | 1.7 V |
| 阻断电压 | 1700 V |
| 额定电流 | 10 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | TO-220-2 |
| Другое | |
| 型号 | GC3D10170A |
| 总功率(Ptot) | 185 W |
国晶微半导体 GC3D10170A — SiC 碳化硅肖特基二极管
| Питание | |
|---|---|
| 最大连续电流 (IF) | 10 A |
| 正向电压 (VF) | 1.7 V |
| 阻断电压 | 1700 V |
| 额定电流 | 10 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | TO-220-2 |
| Другое | |
| 型号 | GC3D10170A |
| 总功率(Ptot) | 185 W |