HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
GBL810
Bridge Rectifiers此款GBL封装整流桥器件,专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值(VR),确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下,正向压降VF低至1.1V,有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外,该器件的最大连续输出电流可达8A(IO),展现出卓越的电流承载能力,尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性,成为您实现理想电源转换方案的理想之选。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток8 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 3A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 8A |
| Другое | |
| 正向压降(Vf) | 1.1V@3A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |