Goford SemiconductorТайвань, Китай
N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока70 A
Сопротивление в открытом состоянии7 mΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение2.4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4010 pF @ 20 V |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.