Global Power Technology Co. LtdТайвань, Китай
DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247AB
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.2 kV
Средний выпрямленный ток55 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 15 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 55A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 15 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 1370pF @ 0V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Global Power Technology Co. Ltd |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.