VBsemi(微碧半导体)Китай
FQP30N06L-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Пороговое напряжение4 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V |