HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该P沟道场效应管最大漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻典型值10mΩ。其低阻抗特性显著降低导通损耗，适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。在直流电源分配系统中，它能有效简化驱动电路设计并减少发热；亦常用于便携式电子设备的电源管理单元，满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。