Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FDB045AN08_F085

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流80A
Id-额定电流80A
VDSS-最大漏源电压80V
Vgs(th)-门槛电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗4.5mΩ
Ron-最大导通阻抗4.5mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1D2PAK
Другое
Ciss-输入电容6600pF
Ciss-输入等效电容6600pF
Pd-功率耗散310W
Pd-最大功率耗散310W
Qg-栅极电荷92nC
Vdss-漏源耐压80V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы