POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток75 V
Постоянный ток стока19 ~ 90 A
Сопротивление в открытом состоянии4.5 mΩМакс. · 80A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Mfr | Fairchild Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
| Series | PowerTrench® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.