Поиск аналогов электронных компонентов
onsemiСША

FAM65HR51DS2

ПроизводитсяTransistors - IGBTs - Modules

IGBT MODULE 650V 33A 135W

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Power - Max135 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Другое
Base Product NumberFAM65
ConfigurationHalf Bridge Inverter
IGBT Type-
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce4.86 nF @ 400 V
Mfronsemi
NTC ThermistorNo
Product StatusActive
Series-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic-

Документы