Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1.3 VМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
| Package | Tape & Box (TB) |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Другое | |
| Base Product Number | F1T2 |
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |