Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1.45 VМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 3 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Другое | |
| Base Product Number | ES3J |
| Capacitance @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |