Поиск аналогов электронных компонентов

DXTP03200BP5Q-13

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - Single

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер200 V
Ток коллектора2 AМакс.
Коэффициент усиления hFE1001A
Мощность740 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)50nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Power - Max740 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)200 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition105MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CasePowerDI™ 5
Supplier Device PackagePowerDI™ 5
Другое
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
SeriesAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic275mV @ 400mA, 2A

Документы