HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
DSEI8-06A-HXY
Single Diodes该快恢复/高效率二极管采用独立式配置,额定正向电流为8A,最大反向重复峰值电压为600V,正向导通压降为1.5V,反向漏电流低至10μA,展现出良好的阻断特性。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流,适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流应用。其快速恢复特性有助于减少反向恢复损耗,提升系统整体效率,并在高频工作条件下保持稳定性能。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток8 A
Прямое падение напряжения1.5 VМакс. · 8A
| Питание | |
|---|---|
| 整流电流 | 8A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.5V@8A |
| 直流反向耐压(Vr) | 600V |