DS91M040TSQ

TRANSCEIVER M-LVDS QUAD 125MHZ 32WQFN

DS91M040TSQ — четырехканальный M-LVDS трансивер 125 МГц, соответствует стандарту TIA/EIA-899, питание 3,3 В, температура -40…+85 °C, корпус WQFN-32 5x5 мм, низкая джиттер и скью, защита ESD 8 кВ.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ПротоколLVDS

Скорость передачи данных250 MbpsМакс.

Напряжение питания3 ~ 3.6 V

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 28

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Протокол	M-LVDS (TIA/EIA-899)
Количество драйверов / приемников	Quad (4)
Скорость передачи данных	125 MHz / 250 Mbps
Напряжение питания	Min 3.0 V, Typ 3.3 V, Max 3.6 V
Корпус	WQFN (RTV) 32-Pin, 5 mm x 5 mm
Рабочая температура	-40°C to +85°C
Класс	Commercial (Implied by -40 to 85°C range, no AEC-Q100 mentioned)
RoHS	Yes
Рекомендуемые условия эксплуатации	VDD: 3.0V to 3.6V; TA: -40°C to +85°C
Абсолютные максимальные значения	Power Supply Voltage: -0.3V to +4V; Junction Temperature: +140°C; Storage Temperature: -65°C to +150°C
Амплитуда дифференциального выходного напряжения	Min 480 mV, Max 650 mV (RL=50Ω, CL=5pF)
Стабилизированное дифференциальное выходное напряжение	Min 0.3 V, Typ 1.6 V, Max 2.1 V (RL=50Ω, CL=5pF)
Ток питания драйвера	Typ 67 mA, Max 75 mA (RL=50Ω, DE=H, RE=H)
Ток питания приемника	Typ 32 mA, Max 38 mA (DE=L, RE=L)
Ток питания в режиме три-стейт	Typ 22 mA, Max 26 mA (DE=L, RE=H)
Ток питания в режиме энергосбережения	Typ 3 mA, Max 5 mA (MDE=L)
Устойчивость к ЭСР (HBM)	≥8 kV
Устойчивость к ЭСР (MM)	≥250 V
Устойчивость к ЭСР (CDM)	≥1250 V
Температура перехода	+140°C
Диапазон температур хранения	-65°C to +150°C
Тепловое сопротивление корпуса (переход-окружающая среда)	+29.4°C/W (4-Layer, 2 oz. Cu, JEDEC)
Тепловое сопротивление корпуса (переход-корпус)	+2.8°C/W (4-Layer, 2 oz. Cu, JEDEC)
Максимальная рассеиваемая мощность корпуса	3.91 W @ +25°C (RTV Package)
Напряжение высокого уровня входа LVTTL	Min 2.0 V, Max VDD
Напряжение низкого уровня входа LVTTL	Min 0 V, Max 0.8 V
Дифференциальное входное напряжение	Max 2.4 V
Напряжение на любом выводе шины	Min -1.4 V, Max +3.8 V

Все параметры (7)РазвернутьСвернуть

Питание
Differential output voltage magnitude \|VAB\|	480 mV (Min) to 650 mV (Max)
Driver Supply Current ICCD	75 mA (Max)
Steady-state common-mode output voltage VOS(SS)	0.3 V (Min) to 2.1 V (Max)
Supply Voltage, VDD	3.0 V (Min) to 3.6 V (Max)
Условия эксплуатации и корпус
Operating Free Air Temperature TA	-40 °C (Min) to +85 °C (Max)
Package	5 mm x 5 mm WQFN-32
Другое
ESD Susceptibility HBM	≥8 kV

Распиновка и корпус

КорпусWQFN (RTV) 32-Pin, 5 mm x 5 mm

Вывод	Название	Назначение
1	RO0	(Выход приемника 0)
2	B0	(Шина M-LVDS B 0)
3	RO1	(Выход приемника 1)
4	B1	(Шина M-LVDS B 1)
5	RO2	(Выход приемника 2)
6	B2	(Шина M-LVDS B 2)
7	RO3	(Выход приемника 3)
8	B3	(Шина M-LVDS B 3)
9	DAP	(GND) (Земля)
10	MDE	(Главный сигнал разрешения данных)
11	VDD	(Питание)
12	VDD	(Питание)
13	RE2	(Разрешение приемника 2)
14	DE2	(Разрешение драйвера 2)
15	RE3	(Разрешение приемника 3)
16	DE3	(Разрешение драйвера 3)
17	A3	(Шина M-LVDS A 3)
18	B3	(Шина M-LVDS B 3)
19	A2	(Шина M-LVDS A 2)
20	B2	(Шина M-LVDS B 2)
21	A1	(Шина M-LVDS A 1)
22	B1	(Шина M-LVDS B 1)
23	A0	(Шина M-LVDS A 0)
24	B0	(Шина M-LVDS B 0)
25	RO0	(Выход приемника 0)
26	DI0	(Вход данных 0)
27	RO1	(Выход приемника 1)
28	DI1	(Вход данных 1)
29	RO2	(Выход приемника 2)
30	DI2	(Вход данных 2)
31	RO3	(Выход приемника 3)
32	DI3	(Вход данных 3)

Изображения

Документы

DatasheetDatasheet · 653.3 KB · 2026-10-29

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.