CYT(长运通)Китай
CYT06N021I MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 栅极阈值电压 | 1.11V~2.5V |
| 漏源击穿电压 | 最小60.1V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装形式 | TO252 |
| 温度范围 | -40℃~175℃ |
| Другое | |
| 功能描述 | 先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS和低栅极电荷 |
| 漏源导通电阻 | 11~20mΩ |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.