DIODE GEN PURP 200V 6A 106
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток6 A
Прямое падение напряжения1.2 VМакс. · 6 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 6 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | 106, Axial |
| Supplier Device Package | 106 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | Central Semiconductor Corp |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |