Поиск аналогов электронных компонентов
CMS35N04V8-HF
Comchip TechnologyТайвань, Китай

CMS35N04V8-HF

Снят с производстваSingle FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 40V 35A 8DFN

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока35 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 10A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 44W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Supplier Device Package8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)
Другое
Base Product NumberCMS35
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1220 pF @ 25 V
MfrComchip Technology
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 10A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы