Comchip TechnologyТайвань, Китай
MOSFET P-CH 60V DPAK
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока5 ~ 16 A
Сопротивление в открытом состоянии48 mΩМакс. · 8A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1256 pF @ 30 V |
| Mfr | Comchip Technology |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 8A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.