HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用1对共阳极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）典型值为1V，在导通时保持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为0.2μA，体现出良好的反向截止特性。器件可承受0.6A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于双路信号整流、电源极性保护以及低功耗电子设备中的同步检波等应用场景。