HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，在浪涌条件下可承受高达64A的非重复峰值正向电流（IFSM）。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换场合。