Поиск аналогов электронных компонентов

C12N60F/C12N65F

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 13, из них китайских: 8. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流12A
VDSS-最大漏源电压650V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗750mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO220
Другое
Qg-栅极电荷NnC
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.