HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该稳压二极管的标称稳压值(VR)为3.9V,适用于低电压稳压需求,可在反向击穿状态下提供稳定的参考电压。最大正向电流(IF)达5A,正向压降(VF)为3V,表明其在导通状态下具备一定电流承载能力。器件功耗能力为0.5W(PD),反向漏电流(IR)低至0.9μA,具有良好的反向阻断特性。常用于电源电路中的电压箝位、过压保护及电平调节,适用于对电压精度和工作稳定性要求较高的消费类电子、通信设备和便携式装置中的稳压与保护设计。【联系:sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SOD-123 |
| Другое | |
| IF | 5A |
| IR | 0.9uA |
| PD | 0.5W |
| VF | 3V |
| VR | 3.9V |