HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该稳压二极管具有20V的反向击穿电压（VR），确保在输入电压波动时提供稳定的输出电压。正向导通电流（IF）可达5A，正向导通压降（VF）低至0.1V，有助于减少功耗并提升能效。反向漏电流（IR）仅为0.9μA，表现出优异的阻断特性。器件最大功耗（PD）为0.2W，适用于小尺寸电源管理电路。主要应用于便携式电子设备、通信模块及精密信号处理单元中的电压钳位与保护。【联系：sales@hxymos.com】
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Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SOD-323 |
| Другое | |
| IF | 5A |
| IR | 0.9uA |
| PD | 0.2W |
| VF | 0.1V |
| VR | 20V |