Infineon TechnologiesГермания
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 4. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока330 mA
Сопротивление в открытом состоянии2 ΩМакс. · 330mA
Пороговое напряжение2 VМакс. · 80μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 78 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 330mA, 10V |
| Series | SIPMOS® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |