Infineon TechnologiesГермания
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток250 V
Постоянный ток стока430 mA
Сопротивление в открытом состоянии4 ΩМакс. · 430mA
Пороговое напряжение2 VМакс. · 370μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 430mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
| Другое | |
| Base Product Number | BSP317 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 262 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 430mA, 10V |
| Series | SIPMOS® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 370µA |