Поиск аналогов электронных компонентов

BDT60B-S

Снят с производстваTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-220

TRANS PNP DARL 100V 4A TO220

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора4 AМакс.
Коэффициент усиления hFE7501.5A
Мощность2 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)500µA
Current - Collector (Ic) (Max)4 A
Power - Max2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
Другое
Base Product NumberBDT60
MfrBourns Inc.
Product StatusObsolete
Series-
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 6mA, 1.5A

Документы