HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
此款PNP型三极管（BJT）专为高效能应用设计，集电极电流IC可达0.5A，确保了在各种工作条件下的稳定性能。其集电极-发射极电压VCEO高达45V，适用于需要较高电压处理能力的电路。直流电流增益HFE范围在250至600之间，表明它在信号放大方面表现出色。此外，该三极管的过渡频率FT为100MHz，使其在高频应用中同样游刃有余。这些特性使得这款三极管非常适合用于无线通信设备、音频放大器以及各类消费电子产品中，为设计者提供了更大的灵活性和选择空间。(BCX17,215)
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Мощность300 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |