BC857C

SOT23

Универсальный PNP-транзистор, макс. напряжение коллектор-эмиттер -45 В, макс. ток коллектора -100 мА, корпус SOT23, для общего переключения и усиления.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 14

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Корпус	SOT23 (TO-236AB)
Температура окружающей среды	-65 °C to 150 °C
Класс	Non-automotive
Напряжение коллектор-эмиттер	Max -45 V (open base)
Напряжение коллектор-база	Max -50 V (open emitter)
Напряжение эмиттер-база	Max -5 V (open collector)
Ток коллектора	Max -100 mA
Пиковый ток коллектора	Max -200 mA
Пиковый ток базы	Max -200 mA
Коэффициент усиления по току	Min 420, Max 800 (VCE = 5 V; IC = 2 mA)
Полная рассеиваемая мощность	Max 250 mW (Tamb ≤ 25 °C)
Температура перехода	Max 150 °C
Температура хранения	-65 °C to 150 °C
Тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде	Max 500 K/W (in free air)

Все параметры (20)РазвернутьСвернуть

Питание
Ic-最大集电极电流	0.1A
IC-最大集电极电流	0.1A
VCBO-CB结击穿电压	50V
VCBO-集基级击穿电压	50V
VCEO-CE结击穿电压	45V
VCEO-集射级击穿电压	45V
VEBO-EB结击穿电压	5V
VEBO-射基级击穿电压	5V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率	100MHZ
hFE-最小直流增益	220
Hfe-最小直流增益	420
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1	SOT23
封装类型2	SC-75
最大工作温度	150℃
Другое
Pd-功率耗散	0.225W
Pd-最大功率耗散	0.25W
VCE(sat)-CE结饱和压降	0.3V
VCE(sat)-集射级饱和压降	0.5V
引脚数量1	3
引脚数量2	3

Распиновка и корпус

КорпусSOT23 (TO-236AB)

Вывод	Название	Назначение	Источник
valueEn		Коллектор

Изображения

Фото · Каталог ChipCross

Документы

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.