BC846C

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleSOT-23

TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

Diotec BC846C — универсальный NPN биполярный транзистор в корпусе SOT-23, с напряжением VCEO 65В, током коллектора 100мА, коммерческое исполнение, соответствует RoHS и REACH.Проверено по даташиту

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN

Напряжение коллектор-эмиттер65 V

Ток коллектора100 mAМакс.

Коэффициент усиления hFE110 ~ 420Group C: 420 Min / 520 Typ / 800 Max (VCE=5V，IC=2mA，Tj=25°C)

Мощность200 mWМакс.

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 24

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип	NPN
Коллектор-Эмиттер-Напряжение	65 V (B open)
Коллекторный ток	100 mA (DC)
Коэффициент усиления по току	Group A: 110 Min / 180 Typ / 220 Max; Group B: 200 Min / 290 Typ / 450 Max; Group C: 420 Min / 520 Typ / 800 Max (VCE=5V, IC=2mA, Tj=25°C)
Мощность рассеивания	200 mW (Commercial grade -C, mounted on P.C. board)
Корпус	SOT-23 (TO-236)
Температура перехода	-55...+150°C
Класс	Commercial grade (-C)
RoHS	Compliant (w/o exemp.)
REACH	Compliant
Коллектор-База-Напряжение	80 V (E open)
Эмиттер-База-Напряжение	6 V (C open)
Пиковый ток коллектора	200 mA
Температура хранения	-55...+150°C
Насыщающее напряжение коллектор-эмиттер	90 mV Typ / 250 mV Max (IC=10mA, IB=0.5mA); 200 mV Typ / 600 mV Max (IC=100mA, IB=5mA)
Насыщающее напряжение база-эмиттер	700 mV Typ (IC=10mA, IB=0.5mA); 900 mV Typ (IC=100mA, IB=5mA)
Напряжение база-эмиттер	580 mV Min / 660 mV Typ / 700 mV Max (VCE=5V, IC=2mA)
Ток отсечки коллектор-база	0.1 μA Max (VCB=70V, E open, BC846x-C)
Ток отсечки эмиттер-база	100 nA Max (VEB=5V, C open)
Переходная частота	100 MHz Min (VCE=5V, IC=10mA, Commercial grade -C)
Емкость коллектор-база	3.5 pF Typ / 6 pF Max (VCB=10V, IE=0, f=1MHz)
Емкость эмиттер-база	9 pF Typ (VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz)
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда	< 625 K/W (Commercial grade -C)
Материал проволочной связи	Cu (Copper)

Все параметры (16)РазвернутьСвернуть

Питание
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Power - Max	250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition	300MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~150°C(TJ)
Package	Strip
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Другое
Mfr	Diotec Semiconductor
Product Status	Active
Series	-
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA

Распиновка и корпус

SOT-23 TO-236 — Корпус: **SOT-23 (TO-236)**

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		База
2		Эмиттер
3		Коллектор

Изображения

Фото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 315.6 KB · 2026-11-09 DatasheetDatasheet · 671.0 KB · 2026-09-21 DatasheetDatasheet · 590.9 KB · 2026-09-21 EnvironmentalEnvironmental · 55.3 KB · 2026-09-22

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.