Поиск аналогов электронных компонентов

NPN биполярный транзистор общего назначения, VCEO 65V, IC 100mA, корпус SOT-323, hFE 200-450, без галогенов, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер65 VMin 65 V (IC=10mA,IB=0)
Ток коллектора100 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE200 ~ 450Max 450 (VCE=5V,IC=2mA)
Мощность200 mWМакс.

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 24
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
ТипNPN
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерMin 65 V (IC=10mA, IB=0)
Ток коллектораMax 100 mA
Коэффициент усиления по токуMin 200, Typ 290, Max 450 (VCE=5V, IC=2mA)
Мощность рассеиванияMax 200 mW
КорпусSOT-323
Диапазон рабочих температур перехода-65°C to +150°C
Соответствие RoHSCompliant (Lead Free Finish)
Без галогеновYes (Green Device)
Напряжение пробоя коллектор-базаMin 80 V (IC=10μA, IE=0)
Напряжение пробоя эмиттер-базаMin 6 V (IE=1μA, IC=0)
Пиковый ток коллектораMax 200 mA
Пиковый ток базыMax 200 mA
Ток отсечки коллектор-базаMax 15 nA (VCB=30V, IE=0)
Ток отсечки эмиттер-базаMax 100 nA (VEB=5V, IC=0)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерTyp 90 mV, Max 250 mV (IC=10mA, IB=0.5mA)
Напряжение насыщения база-эмиттерTyp 700 mV (IC=10mA, IB=0.5mA)
Напряжение база-эмиттерMin 580 mV, Typ 660 mV, Max 700 mV (VCE=5V, IC=2mA)
Частота срезаMin 100 MHz (VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz)
Емкость коллектораMax 4.5 pF (VCB=10V, IE=0, f=1MHz)
Коэффициент шумаMax 10 dB (VCE=5V, IC=200μA, RS=2KΩ, f=1KHz, BW=200Hz)
Максимальное термическое сопротивление625°C/W (Junction to Ambient)
Диапазон температур хранения-65°C to +150°C
Уровень чувствительности к влагеLevel 1
Все параметры (17)РазвернутьСвернуть
Питание
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-CB结击穿电压80V
VCBO-集基级击穿电压80V
VCEO-CE结击穿电压65V
VCEO-集射级击穿电压65V
VEBO-EB结击穿电压6V
VEBO-射基级击穿电压6V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益200
Hfe-最小直流增益200
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT323
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.2W
Pd-最大功率耗散0.15W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.25V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.5V
引脚数量13

Распиновка и корпус

КорпусSOT-323

ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1Коллектор
2База
3Эмиттер

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.