Yangjie TechnologyКитай
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE100100mA
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Power - Max | 200 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Другое | |
| Mfr | Yangjie Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 302.0 KB · 2026-09-22EnvironmentalEnvironmental · 5.9 MB · 2026-09-22EnvironmentalEnvironmental · 5.8 MB · 2026-09-22EnvironmentalEnvironmental · 1.5 MB · 2026-09-22EnvironmentalEnvironmental · 1.4 MB · 2026-09-22Package DrawingPackage Drawing · 269.0 KB · 2026-09-22
Центр документации