onsemiСША
BJT TO92 65V 100MA NPN 0.5W 150C
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер65 V
Ток коллектора100 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE1102mA
Мощность500 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Power - Max | 500 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Другое | |
| Base Product Number | BC546 |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |