BORN(伯恩半导体)Китай
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Коэффициент усиления hFE120
| FT(MHZ) | 80 |
| HFE | 120~475 |
| IC/IB@ VCE(sat)Max. (mA) | -100/-10 |
| Ic(mA) | -150 |
| PCM(mW) | 200 |
| Polarity | PNP |
| VCE/IC @HFE (V)/(mA) | -6/-1 |
| VCEO(V) | -50 |
| VCE(sat) Max. (V) | -0.3 |