Поиск аналогов электронных компонентов

4N60F

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
最大漏极漏电流ID(A)4
漏极-源极电压VDS(V)600
阈值电压VTH(V)4.0
Условия эксплуатации и корпус
封装形式PackageTO-220F
Другое
最大耗散功率PD(W)42
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(1)1700@10V
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(2)-
漏极-源极开启电阻RDS(on)(mΩ)(3)-

Документы