N-CHANNEL SILICON MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока150 mA
Сопротивление в открытом состоянии3.7 ΩМакс. · 80mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | SC-81 |
| Supplier Device Package | SC-81 (SSFP) |
| Другое | |
| Base Product Number | 3LN01 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 10 V |
| Mfr | Catalyst Semiconductor Inc. |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.