Rohm SemiconductorЯпония
TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE180100mA
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Power - Max | 200 mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Другое | |
| Base Product Number | 2SB1198 |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |