HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE60500mA
Мощность2 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Power - Max | 2 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 500mA, 10V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Grade | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Qualification | - |
| Supplier Device Package | SC-62 |
| Другое | |
| Mfr | Renesas Electronics Corporation |
| Packaging | Bulk |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |