Поиск аналогов электронных компонентов
2SA1179N6-TB-E
onsemiСША

2SA1179N6-TB-E

Снят с производстваSingle Bipolar TransistorsTO-236-3

TRANS PNP 50V 0.15A 3CP

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 14. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер50 V
Ток коллектора150 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE1351mA
Мощность200 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)150 mA
Power - Max200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition180MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package3-CP
Другое
Base Product Number2SA1179
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA

Изображения

Документы