POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер225 V
Ток коллектора2 AМакс.
Коэффициент усиления hFE301A
Мощность3 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Power - Max | 3 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 225 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1A, 5V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~200°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Supplier Device Package | TO-66 (TO-213AA) |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 125mA, 1A |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.