Поиск аналогов электронных компонентов

2N5552-1

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-5

TRANS 80V 10A TO5

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора10 AМакс.
Коэффициент усиления hFE505A
Мощность15 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)-
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Power - Max15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 5A, 2V
Frequency - Transition30MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Supplier Device PackageTO-5
Другое
MfrGeneral Semiconductor
Product StatusActive
Series-
Transistor Type-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 500mA, 5A

Документы