POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер300 V
Ток коллектора7 AМакс.
Мощность175 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Power - Max | 175 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C~200°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud |
| Supplier Device Package | TO-61 |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.