HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该稳压二极管具备100V的反向击穿电压（VR），适用于较高电压环境下的电压稳定与过压保护。其正向导通电流（IF）为2.5A，正向压降（VF）为1.0V，具有良好的导通特性与较低功耗。反向漏电流（IR）为1.2μA，表现出优异的截止性能。最大耗散功率（PD）为1W，可支持中等功率应用。该器件常用于电源电路、信号调理模块及电压参考设计中，有助于维持系统电压稳定，提升电路工作的可靠性与安全性。【联系：sales@hxymos.com】