HYG013N04NA1B6 — даташит

Даташиты производителя, руководства и сопутствующая техническая документация.

Transistors - FETs, MOSFETs - SingleДокументов в базе: 1

datasheetDatasheet · 1,3 МБ · 21 сент. 2026 г.

Документы в базе

О компоненте

Партномер: HYG013N04NA1B6
Производитель: HUAYI(华羿微)
Категория: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Напряжение сток-исток: 40 V
Постоянный ток стока: 354 A
Сопротивление в открытом состоянии: 1.3 mΩМакс.

AI FAEСпросите AI-ассистента по этому даташитуЕсли ответ ссылается на даташит, рядом указана страница — по клику откроется исходный текст.Задать вопрос

Просмотр и скачивание доступны после входа; перед открытием система проверяет доступ.

Проверка доступа по подписке…

ВажноПараметры компонентов и рекомендации по замене необходимо проверять по даташитам производителя, результатам испытаний образцов и требованиям проекта. Ответственность за окончательные решения по проектированию, проверке и закупкам несёт пользователь.